Renesas Synergy™

FAQ 1009896 : メモリーのデーターシート;DC特性表にスタンバイ電流が2種類記載されておりますが違いを説明して下さい。 (例)R1LB1616Rシリーズでは「ISB」と「ISB1」と記載。

データシートに記載しております「ISB」と「ISB1」の違いはSRAMへの入力信号レベルにあります。「ISB」はTTL入力、「ISB1」はMOS 入力時のスタンバイ電流規定となります。SRAMへの入力電圧レベルをMOS入力として頂くと、TTL入力時に比べてSRAMの消費電流を低く抑える事が 可能となります。

 

適用製品

Low Latency DRAM
Asynchronous SRAM
他にご質問がございましたら、リクエストを送信してください