Renesas Synergy™

FAQ 1009896 : メモリーのデーターシート；DC特性表にスタンバイ電流が2種類記載されておりますが違いを説明して下さい。（例）R1LB1616Rシリーズでは「ISB」と「ISB1」と記載。

データシートに記載しております「ISB」と「ISB1」の違いはSRAMへの入力信号レベルにあります。「ISB」はTTL入力、「ISB1」はMOS 入力時のスタンバイ電流規定となります。SRAMへの入力電圧レベルをMOS入力として頂くと、TTL入力時に比べてSRAMの消費電流を低く抑える事が可能となります。

適用製品

Low Latency DRAM

Asynchronous SRAM

他にご質問がございましたら、リクエストを送信してください

この記事は役に立ちましたか？

0人中0人がこの記事が役に立ったと言っています

Renesas Synergy™

FAQ 1009896 : メモリーのデーターシート；DC特性表にスタンバイ電流が2種類記載されておりますが違いを説明して下さい。 （例）R1LB1616Rシリーズでは「ISB」と「ISB1」と記載。

関連記事

FAQ 1009896 : メモリーのデーターシート；DC特性表にスタンバイ電流が2種類記載されておりますが違いを説明して下さい。（例）R1LB1616Rシリーズでは「ISB」と「ISB1」と記載。