データシートに記載しております「ISB」と「ISB1」の違いはSRAMへの入力信号レベルにあります。「ISB」はTTL入力、「ISB1」はMOS 入力時のスタンバイ電流規定となります。SRAMへの入力電圧レベルをMOS入力として頂くと、TTL入力時に比べてSRAMの消費電流を低く抑える事が 可能となります。
適用製品
Low Latency DRAM |
Asynchronous SRAM |
データシートに記載しております「ISB」と「ISB1」の違いはSRAMへの入力信号レベルにあります。「ISB」はTTL入力、「ISB1」はMOS 入力時のスタンバイ電流規定となります。SRAMへの入力電圧レベルをMOS入力として頂くと、TTL入力時に比べてSRAMの消費電流を低く抑える事が 可能となります。
適用製品
Low Latency DRAM |
Asynchronous SRAM |