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FAQ 1009015 : アレニウス・モデル (Arrhenius Model)

半導体デバイスの寿命は、電気的・熱的・機械的ストレスの中で、温度に対して最も敏感です。
温度ストレスによる反応速度の依存性は、アレニウスの化学反応論がよくあてはまることが実証されており、 寿命予測に用いられます。

L=A・exp(Ea/k・T)

L : 寿命
A : 定数
Ea : 活性化エネルギー [eV]
k : ボルツマン定数 (8.6159×10-5 [eV/K])
T : 絶対温度 [K]


詳細は 半導体 品質/信頼性ハンドブック を参照してください。

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