FAQ 1010610 : MOSFET(UPA2792AGR)のターンオフ遅延時間 (td(off))と実際の遮断時間で、遅延時間が増える 要因はありますか?

Q : 質問

MOSFET(UPA2792AGR)を使っていますが、ターンオフ遅延時間 (td(off))と実際のMOSFETの遮断時間について教えてください。
データシートのスペックでは、ゲート-ソース間カットオフ電圧:typ -1.7V (min -1.0V)、td(off): 130ns と
なっています。
当社回路で測定すると、ゲート-ソース間電圧(Vgs)が-1.0V以上となってから、実際にターンオフするまでに300ns以上の遅延があります。
入力電流は十分に供給できていますが、遅延時間が増える 要因はありますか?


A : 回答

データシートのtd(off)の測定条件は、下記となります。

測定条件:RG=0Ω、VGS=-10V、VDD=-15V、ID=-5A

その測定条件が異なる場合はtd(off)の値が変化します。例えば、RGが大きい場合、td(off)が大きくなります。これ以外にも、VGS、VDD、IDの値にも影響を受けます。

本FAQには、生産中止品の情報も含まれています。

 

適用製品

一般スイッチング用パワーMOSFET
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