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FAQ 1006116 : MOS FETの全損失Pτは、「ドレイン-ソース間電圧Vᴅss」と「ドレイン電流Iᴅ」の積よりとても小さいのはなぜですか。

「ドレイン-ソース間電圧VDSS」はOFF時(VGS=0V)の耐圧であって、ON時のドライブ電圧ではありません。
オン抵抗が小さいので、大電流が流れることになり、そのような高電圧でのドライブはできません。「ドレイン電流ID」が絶対最大定格を越える場合は、制限抵抗などが必要となります。
詳細は「パワーMOS FETの安全動作領域について」をご参照ください。

適用製品

高周波増幅用パワーMOSFET
パワーMOSFET
一般スイッチング用パワーMOSFET
PC/バッテリ保護用パワーMOSFET
車載用パワーMOSFET
小信号スイッチング用MOSFET(uFET)
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