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FAQ 1006118 : パワーMOSFETのIᴅssやIɢssなどのリーク電流はどのような規定の電流値ですか?

MOSFETがゲートオフ状態の時の各端子間の漏れ電流です。
IDSSはドレイン・ソース間リーク電流で、VGS=0の時のドレイン・ソース間の漏れ電流値です。
ドレイン・ソース間に最大定格VDSSを印加して規定します。



IGSSはゲート・ソース間リーク電流で、VDS=0の時のゲート・ソース間の漏れ電流値です。
ゲート・ソース間に最大定格VGSSを印加して規定します。

適用製品

高周波増幅用パワーMOSFET
パワーMOSFET
一般スイッチング用パワーMOSFET
PC/バッテリ保護用パワーMOSFET
車載用パワーMOSFET
小信号スイッチング用MOSFET(uFET)
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