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FAQ 1006128 : フォトカプラや光MOS FETのデータ・シートには最大ジャンクション温度の記載がありません。最大ジャンクション温度はどのように考えればいいのですか?

フォトカプラや光MOS FETの場合、非通電時と通電時で異なる値を持ちます。
非通電時では、一般的な半導体デバイスと同様の最大定格「保存温度」の上限値です。
通電時には、光電デバイス特有の高温劣化現象が存在するため、最大ジャンクション温度は非通電時よりも低くなります。その値は、特性曲線「許容損失vs.周囲温度」によって示されます。
特性曲線の傾斜部を延長すると、およそ125℃で許容損失が0mWになります。
「動作周囲温度」の許容範囲内において、この傾斜線近傍の内部損失があったとき、ジャンクション温度は125℃付近になっていると推定されるため、この125℃が「通電時」の「最大ジャンクション温度」です。



最大ジャンクション温度の詳細は、下記解説をご参照ください。
https://www.renesas.com/ja-jp/products/optoelectronics/technology/radiation.html

適用製品

青紫レーザ
光センサ
光ストレージ
光通信デバイス
フォトカプラ
高速カプラ(アナログ出力)
高速カプラ(ディジタル出力)
高速カプラ(CMOS出力)
アイソレーション・アンプ(アナログ出力)
アイソレーション・アンプ(ディジタル出力)
光MOS FET
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